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厂商型号

IHW20N135R3FKSA1 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 1.35KV 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247

内部编号

173-IHW20N135R3FKSA1

#1

数量:193
1+¥29.4705
10+¥23.7268
100+¥21.6071
250+¥19.4874
500+¥17.3678
1000+¥14.7011
2500+¥13.9489
5000+¥12.7865
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:227
1+¥30.6222
10+¥30.6222
100+¥20.4148
250+¥20.4148
500+¥20.4148
1000+¥10.2074
最小起订量:1
英国伦敦
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

#3

数量:103
1+¥32.4803
10+¥29.1694
100+¥23.9013
500+¥20.3466
1000+¥17.1598
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IHW20N135R3FKSA1产品详细规格

规格书 IHW20N135R3FKSA1 datasheet 规格书
供应商封装形式 TO-247
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 40
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
包装宽度 5.03
标准包装名称 TO-247
包装高度 20.9
安装 Through Hole
最大功率耗散 310000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 1350
标签 Tab
PCB 3
包装长度 15.9
最低工作温度 -40
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极 - 射极漏泄电流 100 nA
连续集电极电流在25 C 40 A
连续集电极电流Ic最大 20 A
系列 IHW20N135
集电极 - 发射极饱和电压 1.8 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1.35 kV
封装 Tube
功率耗散 155 W
最大栅极发射极电压 20 V
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-247-3
零件号别名 SP000909532
RoHS RoHS Compliant
工厂包装数量 240
品牌 Infineon Technologies
最低工作温度 - 40 C
Pd - Power Dissipation 310 W
配置 Single
技术 Si
最高工作温度 + 175 C

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